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BATOP半導體可飽和吸收鏡

簡要描述:被動鎖模技術由于便于組裝, 操作簡單等優(yōu)點, 已被人們廣泛的應用于各類激光腔中來產(chǎn)生超短脈沖串。Eachwave專業(yè)提供被動鎖模器件BATOP半導體可飽和吸收鏡SESAM?:可飽和吸收鏡(SAM) ,可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體的損耗機制,連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串。

  • 產(chǎn)品型號:SESAM
  • 更新時間:2024-08-06
  • 訪  問  量:1069

產(chǎn)品簡介

品牌其他品牌供貨周期一個月以上
應用領域電子

詳細介紹

BATOP半導體可飽和吸收鏡產(chǎn)品簡介:

        被動鎖模技術由于便于組裝, 操作簡單等優(yōu)點, 已被人們廣泛的應用于各類激光腔中來產(chǎn)生超短脈沖串。Eachwave專業(yè)提供被動鎖模器件BATOP半導體可飽和吸收鏡SESAM:可飽和吸收鏡(SAM) ,可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體的損耗機制,連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串。

       可飽和吸收體在強光下被漂白,可以使大部分腔內(nèi)能量通過可飽和吸收體到達反射鏡,并再次反射回激光腔中;在弱光下,表現(xiàn)為吸收未飽和的特性,吸收掉所有入射光,有效的把這部分弱光從激光腔中去除掉,表現(xiàn)了調(diào) Q 鎖模的抑制作用。而且由于吸收掉了脈沖前沿部分,脈沖寬度在反射過程中會逐漸變窄。

       Eachwave推出的半導體可飽和吸收鏡SESAM包含一個布拉格反射鏡(Bragg-mirror)生長在基底上(如GaAs晶圓),然后可飽和吸收層做在布拉格反射鏡上。盡管半導體可飽和吸收鏡已經(jīng)被廣泛的用于各種激光腔中進行模式鎖定,但是SAM的應用還是要根據(jù)具體情況被精確地設計,如不同的激光器具有不同損耗,增益譜,腔內(nèi)功率等等,可飽和吸收體的參數(shù)都需要跟這些參數(shù)相匹配。


     

BATOP 是激光被動鎖模器件-可飽和吸收體的專業(yè)供應商??娠柡臀债a(chǎn)品集合了各式各樣的不同的器件,包括可飽和吸收鏡(SESAM),可飽和輸出耦合鏡(SOC),共振可飽和吸收鏡RSAM,可飽和噪聲抑制器SANOS,和用于透過應用的飽和吸收體(SA)。迄今為止,可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長范圍;封裝形式多樣,可適用于不同激光系統(tǒng)結構。


半導體可飽和吸收鏡SESAM產(chǎn)品  

Wavelength region   790 nm ... 830 nm:       800 nm

Wavelength region   910 nm ... 990 nm:         940 nm | 980 nm

Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm:       1040 nm | 1064 nm | 1100 nm    

Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm:       1150 nm | 1300 nm

Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm:       1340 nm | 1420 nm

Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm:       1510 nm | 1550 nm | 1645 nm      

Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm:       2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm


查看最新SESAM型號:SESAM半導體可飽和吸收鏡 屹持光電德國BATOP


半導體可飽和吸收鏡的不同封裝形式

規(guī)格型號:

描述

SAM-λ-A-τ-x

λ=波長,A=吸收率,τ=弛豫時間,x=封裝形式

x =4.0-0

裸芯片,芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm

x = 1.0b-0

•一盒,4個裸芯片,芯片尺寸1.0 mm x 1.0 mm

x = 1.3b-0

•一盒,4個裸芯片,芯片尺寸1.3mm x 1.3 mm

x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直徑12.7 mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-12.7g-c

•邊緣安裝:x = 4.0-12.7g-e

x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直徑12.7 mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-12.7s-c

•邊緣安裝:x = 4.0-12.7s-e

x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直徑25.0mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-25.0g-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.0g-e

x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直徑25.0mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-25.0s-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.0s-e

x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直徑25.4mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-25.4g-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.4g-e

x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直徑25.4mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-25.4s-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.4s-e

x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm,焊接在水冷銅散熱片上,直徑25.0 mm

•中心安裝:x = 4.0-25.0w-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.0w-e

x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,薄膜焊接在水冷銅散熱器上,直徑25.0 mm,適用于高功率應用。

•中心安裝:x = 4.0-25.0h-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.0h-e

x = FC/PC或者 FC/APC

•安裝在1米長的單模光纖上。

•可用光纖:HI 980,HI 1060,Panda SM98-PS-U25A

FC / PC接頭:x = FC / PC

FC / APC接頭:x = FC / APC

訂購示例

SAM-1064-2-1ps-4.0-0SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060



附件:


FM-1.3

1.3芯片專用散熱底座

PHS

光纖耦合封裝專用散熱底座


>> 裸片SAM



標準可選項
GaAs芯片尺寸4mm×4mm
其他尺寸可選
芯片厚度400um
150um
芯片背面原切/磨砂拋光可選
SESAM正面鍍保護電解質(zhì)膜


>> 光纖耦合封裝半導體可飽和吸收鏡SAM

GaAs 芯片尺寸:1 mm x 1 mm 或1.3 mm x 1.3 mm

芯片厚度:450 µm

芯片背面 :原切/磨砂

SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜


>> 光纖封裝可飽和吸收鏡SAM,帶散熱底座

SAM與FC/PC接口的光纖頭之間的鏈接可以輕松拆卸,利用這個封裝,可以在一臺激光器上就實現(xiàn)測試多個SAM性能的目的。

當SAM表面有不幸損傷,可以輕松換芯片,所以再次實驗可以用同樣的的SAM芯片。


>> 帶有散熱底座的自由空間可飽和吸收鏡SAM

GaAs 芯片尺寸               4 mm x 4 mm

芯片厚度                      450 µm    150um可選

芯片背面                      原切/磨砂

SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜

SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座上


>> 帶有水冷封裝的可飽和吸收鏡SAM

GaAs 芯片尺寸: 4 mm x 4 mm

芯片厚度 :450 µm  

芯片背面:原切/磨砂

SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜

SESAM 鍍金的Cu底座上,并帶有水冷裝置


>> 帶有光纖封裝的可飽和吸收鏡SAM

GaAs 芯片尺寸: 4 mm x 4 mm

芯片厚度  :450 µm  

SAM芯片用膠粘在一個單模光纖一端,光纖接頭FC/APC,其他接頭類型可選


更多可飽和吸收體產(chǎn)品

>> 半導體可飽和吸收鏡 SESAM

>> 可飽和輸出耦合器 SOC

>> 共振可飽和吸收鏡 RSAM

>> 可飽和噪聲抑制器 SANOS

>> 透射型可飽和吸收體 SA

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